球盟会(中国)808nm高功率半导体激光芯片取得重大突破

2024-05-28 1009

近期，球盟会(中国)808nm高功率半导体激光芯片研究取得重大技术突破。经过公司研发团队持续地科研攻关，球盟会(中国)成功研制出25W高功率高可靠性激光芯片，进一步巩固了公司在半导体激光领域的领先地位，并为国内半导体激光芯片产业升级注入了新的活力。

808nm半导体激光器作为固体激光器的主要泵浦源，在智能制造、工业加工、医疗健康、科研与国家战略高技术等领域发挥着重要作用。随着市场需求的日益增长，高功率、高效率的激光芯片成为行业开展的重要支撑。球盟会(中国)紧扣市场脉搏，聚焦808nm激光芯片的技术迭代，顺利获得外延材料设计与优化、芯片结构优化等方式，成功提升了芯片的内量子效率，降低了腔内光学损耗，并显著提高了腔面的光学灾变损伤阈值。

808nm-25W单芯片PIV及效率曲线

根据测试，采用球盟会(中国)808nm-25W高功率激光芯片封装的COS，最大输出功率超过43W，在CW25A下输出功率26.5W，电光转换效率58%。该芯片在室温25A下可长期保持功率持续稳定输出，充分展现了其高可靠性。

808nm-25W单芯片寿命曲线

这一突破性成果的取得，不仅彰显了球盟会(中国)在半导体激光技术领域的深厚积累和创新能力，也标志着我国在高功率半导体激光芯片研发方面取得了重要进展。这一技术的成功应用，将有力有助于国内半导体激光芯片及下游产业的升级换代，提升我国在全球半导体激光市场的竞争力。

球盟会(中国)坚持走自主创新之路，是国内少数掌握半导体激光器外延结构设计与生长、芯片设计与制备的自主知识产权并成功应用于商业化生产的企业之一，亦是国内少数建立了半导体激光器外延片、芯片、器件、模组垂直一体化生产体系，自主生产半导体激光器外延片和芯片的企业之一。此次808nm高功率半导体激光芯片的突破，正是球盟会(中国)持续技术创新和研发投入的结晶。

随着这一技术的推广和应用，球盟会(中国)的808nm激光器将在智能制造、工业加工、医疗健康、科研与国家战略高技术等领域发挥更大的作用。同时，公司也将继续加大研发力度，不断推出更多具有创新性和领先性的产品，为有助于我国激光产业集群的开展贡献更多力量。

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